[发明专利]互补型金属氧化物半导体薄膜晶体管及具有其的显示装置有效
| 申请号： | 200610121899.8 | 申请日： | 2004-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN1976042A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 朴志容;李乙浩;具在本;李基龙;朴惠香 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种互补型金属氧化物半导体薄膜晶体管以及具有其的显示装置。该薄膜晶体管的特征在于，P型薄膜晶体管和N型薄膜晶体管具有不同的包括于有源沟道区中的多晶硅主晶界数，并且包括于P型薄膜晶体管中的晶界数比包括于N型薄膜晶体管中的晶界数小至少一个或更多个。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 薄膜晶体管 具有 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种互补型金属氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，P型薄膜晶体管和N型薄膜晶体管具有不同的包括于有源沟道区中的多晶硅主晶界数，并且包括于P型薄膜晶体管中的晶界数比包括于N型薄膜晶体管中的晶界数小至少一个或更多个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
