[发明专利]锂－铝－硅系统低膨胀微晶玻璃晶化方法有效
| 申请号： | 200610122075.2 | 申请日： | 2006-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1919760A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 赵天佑;庄堆业;蔡来吉;庄伟兴 | 申请（专利权）人： | 广东科迪微晶玻璃实业有限公司 |
| 主分类号： | C03B32/02 | 分类号： | C03B32/02 |
| 代理公司： | 揭阳市博佳专利代理事务所 | 代理人： | 黄镜芝;黄少松 |
| 地址： | 515300广东省普宁市池尾*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微晶玻璃晶化方法，具体是一种锂－铝－硅系统低膨胀微晶玻璃晶化方法及其专用晶化辊道窑。其特征是将由压延法生产的微晶玻璃板裁切成块，单层直接置于微晶玻璃晶化辊道窑中进行晶化，其晶化工艺条件包括：预热、升温晶核、恒温晶化、急速降温、缓速降温，晶化周期为135－176分钟，晶化温度为870±5℃。本发明不仅具有节约能源、生产效率高、产品合格率高和综合生产成本低等优点，同时，由于免用碳化硅夹板和隔离氧化镁粉，为无尘操作，既改善操作工人的工作环境，也有利于环保。 | ||
| 搜索关键词： | 系统 膨胀 玻璃 方法 | ||
【主权项】：
1、一种经改良后的锂-铝-硅系统低膨胀微晶玻璃晶化方法，其特征为：将由压延法生产的微晶玻璃板裁切成块，单层直接置于微晶玻璃晶化辊道窑中进行晶化，其晶化工艺条件包括：A、预热，在18-23分钟内，将微晶玻璃板从室温加热升温至720℃；B、升温晶核，在35-45分钟内，将微晶玻璃板从720℃升温至870℃；C、恒温晶化，将微晶玻璃板控制在870±5℃，维持50-65分钟；D、急速降温，在10-15分钟内，将微晶玻璃板从870℃降至370℃；E、缓速降温，在22-30分钟，将微晶玻璃板从370℃降至室温，然后出窑。
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