[发明专利]择优取向的多晶硅薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200610123789.5 | 申请日： | 2006-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1967882A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 姚若河 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/20 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有择优取向的多晶硅薄膜的制备方法，包括：采用微电子的光刻工艺和磁控溅射镀膜方法在衬底上形成分布均匀、大小为微米量级的铝颗粒；采用磁控溅射方法在有铝颗粒的衬底上制备非晶硅薄膜；将非晶薄膜在真空中先进行2至5分钟的500℃至550℃退火，再进行20至25分钟的300℃至350℃退火，制备得到的多晶硅薄膜具有垂直于衬底的择优取向，且整个制备过程中温度不大于550℃，该方法适合于制造以普通玻璃为衬底的多晶硅薄膜太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 择优取向 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种择优取向的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)采用微电子的光刻工艺和磁控溅射镀膜方法在衬底上形成分布均匀的铝颗粒；(2)在步骤(1)制备的衬底上，采用磁控溅射方法制备非晶硅膜；(3)对步骤(2)制备的非晶硅膜进行两次退火，第一次退火温度为500-550℃，时间为-5分钟；第二次退火温度为300-350℃，时间为20-25分钟，获得具有垂直于衬底的择优取向的多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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