[发明专利]一种掺钕钨酸钇钾激光晶体的生长方法及其生长装置

摘要

本发明公开了一种获得大尺寸高质量掺钕钨酸钇钾激光晶体的生长方法。该方法通过复合助熔剂的配比变化，结合化学式进行化学组分的配比，通过调节提拉速率、旋转速率和等径生长过程，获得所需要的大尺寸高光学质量单晶体。本发明还公开了上述激光晶体的生长装置。本发明通过改善复合助熔剂的特性、改进生长工艺、结合现有熔盐法与提拉法设备的各自优势，生长出了高质量的激光晶体。本发明结合了助熔剂法和提拉法生长晶体的各自优点，避免了非一致熔融材料生长周期过长、生长方法单一的缺点。

主权项

1、一种掺钕钨酸钇钾激光晶体的生长方法，其特征在于包括如下工艺步骤和工艺条件：(1)按照符合Ndx:KY1-x(WO4)2化学式所表示的摩尔配比分别称取原料Y2O3、WO3、K2CO3、Nd2O3，并加入助熔剂K2WO4、K2W2O7和KF/KCl，所述K2WO4占总体原料摩尔百分比为35～45mol％，KF/KCl占总体原料摩尔百分比为0.2～1.0mol％；K2W2O7占总体原料摩尔百分比是5～15mol％；(2)将上述称取好的原料研磨混合均匀，压成片状，然后装入到铂金坩埚中，置于1000℃烧结10～25小时进行固相反应，得到多晶状料；(3)将烧结后的多晶状料再次研磨压片后装入铂金坩埚中，将装有多晶状料的铂金坩埚置于熔盐提拉生长炉中，Nd:KY(WO4)2的籽晶片置于多晶状料Nd:KY(WO4)2的上方3～8mm处；熔盐提拉生长炉抽真空后再充入氮气保护，升温到1080～1090℃不断搅拌充分溶化上述多晶状料4～8小时，然后在1100～1110℃恒温2～4小时，降温到1085℃时按照提拉法生长晶体的程序进行试晶生长、提拉、放肩、等径生长过程，经过5～12天的等径生长周期后进行晶体收尾，经过1～2天降至室温后，即获得掺钕钨酸钇钾激光晶体。