[发明专利]一种低温烧结高频热稳定介质陶瓷及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200610124096.8 申请日: 2006-12-07
公开(公告)号: CN1974479A 公开(公告)日: 2007-06-06
发明(设计)人: 凌志远;郭栋 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/462;C04B35/622;H01G4/30
代理公司: 广州粤高专利代理有限公司 代理人: 何淑珍
地址: 510640广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种低温烧结高频热稳定介质陶瓷及其制备方法。其组成为:100Ba3Ti5Nb6O28+aCaNb2O6+bZnO-B2O3,其中,a、b按质量份数计,0≤a≤115,5≤b≤8;其制备方法是将Ba3Ti5Nb6O28、CaNb2O6、ZnO-B2O3混合,加入粘合剂造粒,成型,在910~970℃下烧结。-55℃~+125℃下的电容温度系数TCC在±30×10-6/℃范围内;介电常数εr=25~41,1MHz下介质损耗tgδ<3×10-4;制备工艺简单,重现性好;适合于制作符合美国EIA标准NP0温度特性多层片式陶瓷电容器。
搜索关键词: 一种 低温 烧结 高频 稳定 介质 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种低温烧结高频热稳定介质陶瓷,其特征在于其组成为: 100Ba3Ti5Nb6O28+aCaNb2O6+bZnO-B2O3 其中,a、b按质量份数计,0≤a≤115,5≤b≤8;即每100份Ba3Ti5Nb6O28,CaNb2O6为0~115份,ZnO-B2O3为5~8份;其在-55℃~+125℃下的电容温度系数TCC在±30×10-6/℃范围内,介电常数εr=25~41,1MHz下介质损耗tgδ<3×10-4。
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