[发明专利]增加内量子效率的半导体发光二极管的量子阱结构有效
| 申请号： | 200610124789.7 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1937267A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 刘伟 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 朱必武 |
| 地址： | 430223湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种增加内量子效率的半导体发光二极管的量子阱结构，其特征在于：将原位电子俘获发射层3或原位空穴俘获发射层4通过具有高隧穿几率的隧穿势垒层5与量子阱层2连接，层1，3或4，5和2组成一个周期，进行重复，周期数可选择从1至10，最上和最下层均为势垒层1；原位电子俘获发射层3或原位空穴俘获发射层4的厚度介于1nm至3nm。这种结构作为有源层，可以有效地增加电子或空穴的俘获几率，从而提高氮化镓基蓝绿光发光二极管内量子效率，增加其发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 量子 效率 半导体 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1、一种增加内量子效率的半导体发光二极管的量子阱结构，其特征在于：将原位电子俘获发射层(3)或原位空穴俘获发射层(4)通过具有高隧穿几率的隧穿势垒层(5)与量子阱层(2)连接，层(1)，(3)或(4)，(5)和(2)组成一个周期，进行重复，周期数可选择从1至10，最上和最下层均为势垒层(1)；原位电子俘获发射层(3)或原位空穴俘获发射层(4)的厚度介于1nm至3nm。
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