[发明专利]一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器

摘要

本发明公开了一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器，包括充电控制电路和检测输出电路两部分。充电控制电路包括PMOS管P1和NMOS管N1、N2，检测输出电路包括PMOS管P2、P3和NMOS管N3，N4，N5；其中PMOS管P1和NMOS管N1、NMOS管N4和PMOS管P2、NMOS管N5和PMOS管P3分别为反相器结构。本发明利用了MOS管的双向导通性，从浮栅管的源极、而不是选择管的漏极进行充电。由于浮栅管的源极都连接在一起，大大减少了充电电路的数目；利用电压检测的方式进行信息的区分，通过修改反相器的反相阈值，降低充电电压，从而提高读出的速度。本发明特别适合无源RFID标签芯片的嵌入式EEPROM应用，在保证数字逻辑工作电压的情况下，降低整个芯片的复位阈值，较好的抗阈值退化能力提高整个标签芯片的使用寿命。

主权项

1、一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器，其特征在于：该灵敏放大器包括充电控制电路和检测输出电路两部分，其中，充电控制电路(1)包括PMOS管P1和NMOS管N1、N2；PMOS管P1和NMOS管N1组成反相器结构，其公共栅极作为充电控制端A，其公共漏极与NMOS管N2的漏极相连作为充电输入端，和浮栅管MC的源极相连，NMOS管N2的栅极作为泄放控制端B；当充电控制端A和泄放控制端B均为低电平时，充电控制电路(1)开始充电；检测输出电路(2)包括PMOS管P2、P3和NMOS管N3，N4，N5；NMOS管N4和PMOS管P2、NMOS管N5和PMOS管P3分别为反相器结构，并串连在一起，NMOS管N4和PMOS管P2的公共漏极作为输出与NMOS管N5和PMOS管P3的公共栅极连接，NMOS管N5和PMOS管P3的公共漏极作为放大器的输出端；NMOS管N3的漏极与选择管MS的漏极、以及NMOS管N4和PMOS管P2的公共栅极连接在一起，构成检测输出电路(2)的检测节点BL，NMOS管N3的栅极作为检测节点的泄放控制端C；当泄放控制端C为低电平时，检测节点BL电位被检测输出电路(2)检测并输出，此时当检测节点BL电位高于反相器阈值电压时，输出一个信号，当该节点电位低于反相器阈值电压时，输出为另一个信号。