[发明专利]一种氧化锌单晶纳米薄膜材料的制备方法无效
| 申请号： | 200610125045.7 | 申请日： | 2006-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1974884A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 任峰;蒋昌忠 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/64 |
| 代理公司： | 武汉华旭知识产权事务所 | 代理人： | 刘荣 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧化锌单晶纳米薄膜材料的制备方法。该方法采用将锌离子注入后进行热处理的方法在材料表面形成ZnO单晶纳米薄膜，所包括的具体步骤如下：先将能量为50到300keV的Zn+注入到石英玻璃中，然后将其在空气中退火，退火温度为700～750℃，退火时间为1～2小时，升温速率为10～20℃/min。注入到石英玻璃中的Zn原子逐渐蒸发到样品的表面并在表面氧化形成ZnO单晶纳米薄膜。本发明具有制备方法简单，成本低，得到的单晶薄膜的质量好的特点，因而能广泛应用于光电子领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 纳米 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化锌单晶纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于采用将锌离子注入后进行热处理的方法在材料表面形成ZnO薄膜，所包括的具体制备步骤如下：1)以石英玻璃为衬底，将能量为50到300keV的Zn+注入到衬底中，使其在衬底中形成Zn纳米颗粒，至衬底中有足够多的Zn原子；2)将注入Zn+后的衬底物升温至700～750℃，并在空气中保温退火，直至衬底物中的Zn原子逐渐充分蒸发到衬底物的表面并在其表面氧化形成ZnO单晶纳米薄膜。
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