[发明专利]铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法

摘要

本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法，本发明铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成；二氧化钛粘结层的厚度为10～30nm；下电极金属层的厚度为100nm～200nm；下缓冲层的厚度为5～20nm；铁电薄膜层的厚度为200nm～500nm；上缓冲层的厚度为100nm～200nm；上电极金属层的厚度为80nm～150nm。本发明铁电存储器用铁电薄膜电容疲劳速率小，漏电流较小。本发明铁电存储器用铁电薄膜电容采用磁控溅射的方法逐层溅射制备，制备的薄膜结晶性能较好，可获得单一取向的薄膜。

主权项

1.一种铁电存储器用铁电薄膜电容，其特征在于：依次由硅基底(1)、二氧化硅阻挡层(2)、二氧化钛粘结层(3)、下电极金属层(4)、下缓冲层(5)、铁电薄膜层(6)、上缓冲层(7)、上电极金属层(8)组成；二氧化钛粘结层(3)的厚度为10～30nm；下电极金属层(4)的厚度为100nm～200nm；下缓冲层(5)的厚度为5～20nm；铁电薄膜层(6)的厚度为200nm～500nm；上缓冲层(7)的厚度为100nm～200nm；上电极金属层(8)的厚度为80nm～150nm；下缓冲层(5)、上缓冲层(7)的材料为LSMO超大磁电阻材料，铁电薄膜层(6)的材料为掺Ta的PZT。