[发明专利]微沟道电极及其微流控分析芯片无效
| 申请号： | 200610125095.5 | 申请日： | 2006-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1963483A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 赵兴中;刘侃;丁会江 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N33/50 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 朱必武 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种微沟道电极，它基底的沟道中有电极，其特征在于：沟道中的电极由导电流体和导体孔针构成，导体孔针插在导电流体中。本发明的微沟道电极和微流控分析芯片，结构简单、便于制作、成本低廉，而且具有高深宽比，均一强电场达100KV/cm以上，适合于制作需要大面积均一电场的微流控分析芯片。在基底的沟道中通入不同的导电液体形成各种精度、响应速度不同的可集成于微沟道的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 电极 及其 微流控 分析 芯片 | ||
【主权项】：
1、一种微沟道电极，它基底的沟道中有电极，其特征在于：沟道中的电极由导电流体和导体孔针构成，导体孔针插在导电流体中。
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