[发明专利]一种迟滞比较器

摘要

本发明公开了一种迟滞比较器，该电路是为低压低功耗芯片中的保护电路或者是检测电路专门设计。它包括电流源I1、二个输入MOS管、三个负载MOS管和用于调节比较器的阈值的迟滞调节器。当输入MOS管为NMOS管时，负载MOS管采用PMOS管，反之亦然。电路单边阈值与电路器件参数无关，即只要固定了比较器一个输入端电压就可以精确确定单边阈值。电路具有不对称的正反馈回路构成迟滞比较器的迟滞电路，能产生阈值电压并能完成比较功能。电路本身是一个相对独立的部分。电路中还设置了合适的正反馈支路以及输出级支路，以及提供了静电保护作用的MOS管和电阻。

主权项

1、一种单边迟滞比较器，其特征在于：包括NMOS管N1和N2、PMOS管P1、P2、P5和迟滞调节器(11)，其中，迟滞调节器(11)由PMOS管P6构成，用于调节比较器的阈值；NMOS管N1、N2对称，PMOS管P1、P2、P5的宽长比相等，PMOS管P6的宽长比大于PMOS管P1的宽长比；NMOS管N1管栅极作为正输入端Vin1，NMOS管N2管的栅极作为负输入端Vin2，它们的源极相连，同时接尾电流源I1的正端，电流源I1的负端接地；NMOS管N1漏极与PMOS管P1漏极相连，并连接到迟滞调节器(11)中PMOS管P6漏极；PMOS管P1的漏级与栅级相连，成二极管连接；NMOS管N2的漏极与PMOS管P2漏极相连，同时连接到PMOS管P5的漏极；PMOS管P2漏极与其栅极相连，PMOS管P1与P5的栅极相连，PMOS管P6与PMOS管P2的栅极相连；PMOS管P1、P2、P5、P6的源极相连，一起接入电源VDD；PMOS管P6的负输出端VO1从NMOS管N1的漏极引出，PMOS管的正输出端VO2从NMOS管N2管的漏极引出。