[发明专利]一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法和装置无效
| 申请号： | 200610125202.4 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1962932A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 付德君;阴明利;郭立平;刘传胜 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 | 代理人： | 程祥;冯卫平 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法，控制衬底的温度在0～500℃范围内，以氮气或氮气和氩气的混合气体作为溅射气体，真空条件下，对掺杂有稀土粉末的金属镓进行磁控溅射，使设在靶位处的衬底沉积上稀土掺杂的氮化镓发光薄膜。本发明还提供了一种制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的磁控溅射装置，包括真空室，真空室内设有可旋转的衬底架和3～5个磁控靶，衬底架上装设有衬底，衬底设在磁控靶上方且使衬底面与磁控靶面平行，每个磁控靶分别接直流电源阴极；磁控靶内设有冷却室，冷却室设有冷却介质进口和出口。本发明具有沉积温度低、成膜面积大、膜－基附着力强、生长速率高、无污染、掺杂工艺简单和无损伤等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 稀土 掺杂 氮化 发光 薄膜 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法，其特征在于：利用磁控溅射技术，在0～500℃、真空条件下，以氮气或氮气和氩气的混合气体作为溅射气体，对掺杂有稀土粉末的金属镓进行磁控溅射，使设在靶位处的衬底沉积上稀土掺杂的氮化镓发光薄膜。
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