[发明专利]低成本DFB激光器制作方法无效
| 申请号： | 200610125535.7 | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101001001A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘文;王定理;周宁;孙飞;黄德修 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司;武汉光电国家实验室(筹) |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/125 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 朱必武 |
| 地址： | 430074湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种低成本DFB激光器制作方法，该半导体激光器由在InP基底上依次生长上的下包层、下波导层、有源层、上波导层以及上包层和电极接触层组成，在基底和电极接触层上分别有金属电极，在上波导层或者下波导层上存在DFB光栅结构，其特征在于：所述DFB光栅结构采用纳米压印技术制作。可以是具有任意相移结构的光栅，或者是具有任意取样结构的光栅。本方法可制作具有均匀周期光栅结构的激光器芯片，还可在同一外延片上制作出不同波长的DFB激光器芯片系列，或者在同一芯片上制作出多波长的DFB激光器阵列。具有制作成本低，生产效率高以及光栅分辨率高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 低成本 dfb 激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种低成本DFB激光器制作方法，该半导体激光器由在InP基底上依次生长上的下包层、下波导层、有源层、上波导层以及上包层和电极接触层组成，在基底和电极接触层上分别有金属电极，在上波导层或者下波导层上存在DFB光栅结构，其特征在于：所述DFB光栅结构采用纳米压印技术制作。
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