[发明专利]脊形波导半导体激光二极管有效

专利信息
申请号: 200610125681.X 申请日: 2006-08-31
公开(公告)号: CN101017959A 公开(公告)日: 2007-08-15
发明(设计)人: 孙重坤;张泰勋;成演准;司空坦;白好善;李成男 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01S5/22 分类号: H01S5/22;H01S5/343
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了一种具有改进的电流注入结构的脊形波导半导体激光二极管。所述脊形波导半导体激光二极管包括:衬底;形成于所述衬底上的下部多半导体层;形成于所述下部多半导体层上的有源层;具有脊形部分,并且形成于所述有源层上的上部多半导体层;以及形成于所述上部多半导体层上的上部电极,其中,所述上部电极覆盖所述脊形部分的至少一个侧表面。
搜索关键词: 脊形波导 半导体 激光二极管
【主权项】:
1.一种脊形波导半导体激光二极管,包括:衬底;形成于所述衬底上的下部多半导体层;形成于所述下部多半导体层上的有源层;具有脊形部分并且形成于所述有源层上的上部多半导体层;以及形成于所述上部多半导体层上的上部电极,其中,所述上部电极覆盖所述脊形部分的至少一个侧表面,通过所述脊形部分的侧表面注入电流。
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