[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200610125731.4 | 申请日： | 2006-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101043042A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 森屋晋 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L23/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，其包括：半导体元件，其具有形成有成像区的上表面；透明构件，其与该半导体元件隔开指定的距离并且面向该半导体元件；以及密封构件，其构造为密封该半导体元件的边缘部分和该透明构件的边缘表面；其中，该透明构件中形成有凹槽形成部，所述凹槽形成部位于该透明构件的边缘表面侧，该边缘表面侧位于该半导体元件的该成像区的外缘的外部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：半导体元件，其具有形成有成像区的上表面；透明构件，其与该半导体元件隔开指定的距离并且面向该半导体元件；以及密封构件，其构造为密封该半导体元件的边缘部分和该透明构件的边缘表面；其中，该透明构件中形成有凹槽形成部，所述凹槽形成部位于该透明构件的边缘表面侧，该边缘表面侧位于该半导体元件的该成像区的外缘的外部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
