[发明专利]用于检测物理量、特别是磁场的薄膜器件及相应检测方法无效
| 申请号： | 200610125759.8 | 申请日： | 2006-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1955754A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | D·普利尼;G·因诺琴蒂;P·雷佩托;A·罗托洛 | 申请（专利权）人： | C.R.F.阿西安尼顾问公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 意大利奥*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 用于检测物理量、特别是磁场的薄膜器件及相应检测方法。这里描述的是一种用于检测物理量、尤其是磁场的、包括包含一个或多个敏感元件(10；20；30)的电路的类型的薄膜器件，其被设计用于改变它们自己的电阻(R)作为要被检测的物理量的函数，所述一个或多个敏感元件(10；20；30)包括至少一个纳米收缩(10；20；30)，所述纳米收缩(10；20；30)包括由磁性材料制成的至少两个垫片(12，13；22，23)，与其相关联的是取向于基本上彼此相反的方向并通过纳米通道(11；21；21′；21″)被连接的相应磁化(16，17；M1，M2)，所述纳米通道(11；21；21′；21″)能够建立畴壁(15；25)，其确定所述纳米收缩(10；20；30)的电阻(R)作为相对于形成在所述传感器件中的所述畴壁(15；25)的所述纳米通道(11；21；21′；21″)的位置的函数。配置所述纳米通道(21；21′；21″)的至少一个截面，以便沿着一个或多个轴(x)展示可变的延伸(LDW)，作为要被检测的所述物理量的不同值的函数。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 物理量 特别是 磁场 薄膜 器件 相应 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于检测物理量、尤其是磁场的、包括包含一个或多个敏感元件(10；20；30)的电路的类型的薄膜器件，所述器件被设计用于改变它自己的电阻(R)作为要被检测的物理量的函数，所述一个或多个敏感元件(10；20；30)包括至少一个纳米收缩(10；20；30)，所述纳米收缩(10；20；30)包括由磁性材料制成的至少两个垫片(12，13；22，23)，与其相关联的是取向于基本上彼此相反的方向并通过纳米通道(11；21；21′；21″)被连接的相应磁化(16，17；M1，M2)，所述纳米通道(11；21；21′；21″)能够建立畴壁(15；25)，其确定所述纳米收缩(10；20；30)的电阻(R)作为形成在所述传感器件中的所述畴壁(15；25)的尺寸(LDW，WDW)的函数，所述器件的特征在于，所述纳米通道(21；21′；21″)的至少一个截面被配置成沿着一个或多个轴(x)呈现可变的幅度(LNC；TNC)，作为要被检测的所述物理量的不同值的函数。
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