[发明专利]制备低门尼腈系三元共聚物的方法无效

专利信息
申请号: 200610125775.7 申请日: 2006-07-14
公开(公告)号: CN1903900A 公开(公告)日: 2007-01-31
发明(设计)人: 莎朗·X·郭;F·格林;V·纳斯雷迪纳;C·M·翁 申请(专利权)人: 兰塞克斯公司
主分类号: C08F220/42 分类号: C08F220/42;C08F210/00;C08F212/10;C08F4/42
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 邹锋;李连涛
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
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摘要: 发明涉及一种制备具有比本领域已知者分子量更低、门尼粘度更低且分子量分布更窄的任选氢化的腈系三元共聚物的方法。本发明还涉及具有比本领域已知者分子量更低、门尼粘度更低且分子量分布更窄的任选氢化的腈系三元共聚物。
搜索关键词: 制备 低门尼腈系 三元 共聚物 方法
【主权项】:
1、一种制备腈系三元共聚物的方法,其中所述腈系三元共聚物包括至少 一种共轭二烯、至少一种α,β-不饱和腈和至少一种选自不饱和羧酸烷基酯、丙 烯酸烷氧基烷基酯和除二烯之外的烯不饱和单体的单体,所述方法包括:在至 少一种选自通式I、II、III、IV或V化合物中的化合物存在下使腈系三元共聚 物反应; 式I 其中: M是Os或Ru, R和R1独立地是氢或选自C2-C20烯基、C2-C20炔基、C1-C20烷基、芳基、 C1-C20羧酸酯、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基、芳氧基、C2-C20烷氧羰基、C1-C20烷硫基、C1-C20烷基磺酰基和C1-C20烷基亚磺酰基的烃, X和X1独立地是任意的阴离子配位体,和 L和L1独立地是任意的中性配位体,例如膦、胺、硫醚或亚咪唑烷基或 者任意的中性卡宾,任选L和L1可以互相连接形成双齿中性配位体; 式II 其中: M1是Os或Ru, R2和R3独立地是氢或选自C2-C20烯基、C2-C20炔基、C1-C20烷基、芳基、 C1-C20羧酸酯、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基、芳氧基、C2-C20烷氧羰基、C1-C20烷硫基、C1-C20烷基磺酰基和C1-C20烷基亚磺酰基的烃, X2是阴离子配位体,和 L2是中性π-键合配位体,这与它们是单环还是多环无关, L3是配位体,选自膦,磺化膦,氟化膦,带有至多三个氨基烷基-、铵烷 基-、烷氧基烷基-、烷氧基羰基烷基-、羟基羰基烷基-、羟烷基-或酮基烷基-基 团的官能化的膦,亚磷酸酯,亚次膦酸酯,亚膦酸酯,膦胺,胂,,醚, 胺,酰胺,亚胺,亚砜,硫醚和吡啶类, Y-是非配位的阴离子, n是0到5的整数; 式III 其中 M2是Mo或W, R4和R5独立地是氢或选自C2-C20烯基、C2-C20炔基、C1-C20烷基、芳基、 C1-C20羧酸酯、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基、芳氧基、C2-C20烷氧羰基、C1-C20烷硫基、C1-C20烷基磺酰基和C1-C20烷基亚磺酰基的烃, R6和R7独立地选自任意的未取代或卤代的烷基,芳基,芳烷基或其含硅 的类似物, 式IV 其中, M是Os或Ru, R和R1独立地选自氢,取代或未取代的烷基和取代或未取代的烷基, X和X1独立地是任意的阴离子配位体,和 L和L1独立地是任意的中性配位体,例如膦、胺、硫醚或亚咪唑烷基或 者任意的中性卡宾,任选L和L1可以互相连接形成双齿中性配位体; 式V 其中: M1是Os或Ru, R是氢或选自C2-C20烯基、C2-C20炔基、C1-C20烷基、芳基、C1-C20羧酸酯、 C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基、芳氧基、C2-C20烷氧羰基、C1-C20烷硫基、C1-C20烷基磺酰基和C1-C20烷基亚磺酰基的烃, X选自任意的阴离子配位体;和 L1是中性π-键合配位体,优选但不限于芳烃,取代芳烃,杂芳烃,与它 们是单环还是多环无关; L是配位体,选自膦,磺化膦,氟化膦,带有至多三个氨基烷基-、铵烷 基-、烷氧基烷基-、烷氧基羰基烷基-、羟基羰基烷基-、羟烷基-或酮基烷基-基 团的官能化的膦,亚磷酸酯,亚次膦酸酯,亚膦酸酯,膦胺,胂,(stibenes), 醚,胺,酰胺,亚胺,亚砜,硫醚和吡啶类; Y-是非配位的阴离子。
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