[发明专利]光导体覆有源像素传感器无效
| 申请号： | 200610126343.8 | 申请日： | 2006-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101136417A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 钟祥珉;汪嘉将;何昌瑾 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光导体覆有源像素传感器，其包括有硅基底、多个像素电路设在硅基底上、电荷产生光导层设在像素电路上方、多个彩色滤光片并排设在电荷产生光导层上方和遮蔽层设在彩色滤光片之上，且任二个相邻的彩色滤光片的邻近处上方设置有该遮蔽层。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 有源 像素 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种光导体覆有源像素传感器，包括：半导体芯片；多个像素电路设在该半导体芯片上电荷产生光导体层，设在该等像素电路上方，其包括有光导体材料；彩色滤光层，其包括有多个彩色滤光片并排设在该电荷产生光导层上方；和遮蔽层，设在任二个相邻的该彩色滤光片的邻接处上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
