[发明专利]等离子体镀膜装置及其镀膜方法有效
| 申请号： | 200610126347.6 | 申请日： | 2006-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101135048A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 张加强;吴清吉;廖新治;林春宏 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 魏晓刚;李晓舒 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种等离子体镀膜装置，包括：一反应室；一载座，设置在上述反应室中；一等离子体源产生装置，设置在上述反应室中，且位于上述载座上方，上述等离子体源产生装置包括一等离子体束喷射器，用以提供一沉积薄膜用的等离子体束，上述等离子体束喷射器所产生的上述等离子体束与上述载座的法线夹角 0°＜θ1＜90°；以及一抽气装置，设置在上述反应室中，且位于上述载座上方，上述抽气装置包括一抽气管，用以提供一抽气路径以抽取上述等离子体束形成薄膜时产生的微粒以及副产物，上述抽气管与上述载座的法线夹角0°＜θ2＜90°。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 镀膜 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体镀膜装置，包括：一反应室；一载座，设置在该反应室中；一等离子体源产生装置，设置在该反应室中，且位于该载座上方，该等离子体源产生装置包括一等离子体束喷射器，用以提供一沉积薄膜用的等离子体束，该等离子体束喷射器所产生的该等离子体束与该载座的法线夹角0°＜θ1＜90°；以及一抽气装置，设置在该反应室中，且位于该载座上方，该抽气装置包括一抽气管，用以提供一抽气路径以抽取该等离子体束形成薄膜时产生的微粒以及副产物，该抽气管与该载座的法线夹角0°＜θ2＜90°。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院，未经财团法人工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610126347.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高承载力的三级扩底组合桩身的爆破成桩方法
- 下一篇：小型玉米剥皮收割机
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
