[发明专利]光学头和信息存储装置无效
| 申请号： | 200610126496.2 | 申请日： | 2002-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1901052A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 长谷川信也;田和文博 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B7/12 | 分类号： | G11B7/12;G11B7/135;G01N13/14;G01N37/00;G12B21/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供光学头和信息存储装置。一种光学头，包括：第1介电体层，具有第1折射率；一对第2介电体层，与第1介电体层的两侧邻接配置，具有比第1折射率大的第2折射率；一对第3介电体层，与各第2介电体层邻接配置；以及一对第4介电体层，与各第3介电体层邻接配置，具有比第1折射率大的第3折射率。使光从与第1至第4介电体层的叠层方向正交的方向入射。第1和第3介电体层具有相互不同的折射率或者具有相互不同的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 信息 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种光学头，其特征在于，所述光学头包括：第1介电体层；一对第1邻接层，与所述第1介电体层的两侧邻接配置，具有负介电常数；一对第2介电体层，与所述各第1邻接层邻接配置；以及一对第2邻接层，与所述各第2介电体层邻接配置，具有负介电常数；所述第1和第2介电体层的折射率相互不同或者厚度相互不同；使光从与所述各层的叠层方向正交的方向入射。
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