[发明专利]耦合电容器及使用其的半导体存储器件

摘要

提供了耦合电容器及使用其的半导体存储器件。在实施例中，半导体存储器件的每个存储单元包括耦合电容器，使得存储电容器能够存储至少2位数据。耦合电容器具有相对与存储电容器的电容有预设比率的电容。为此，通过与存储电容器基本上相同的制造方法来形成耦合电容器。通过选择合适数目的单个电容器来获得预设比率，每个具有与存储电容器相同的电容，以包括耦合电容器。同样，耦合电容器设置在层间绝缘层上，该层间绝缘层掩埋单元区中的位线和感应放大区中的感应放大器。

主权项

1.一种半导体存储器件的耦合电容器，其设置在层间绝缘层上并包括多个串联的电容器，该串联的电容器分别包括下电极、介质层和上电极，耦合电容器包括：第一电容器，包括在形成在第一导电焊盘上的串联的电容器中，并包括与该第一导电焊盘接触的下电极之一，该第一导电焊盘设置在层间绝缘层上；第二电容器，包括在形成在第二导电焊盘上的串联的电容器中，并包括与第二导电焊盘接触的下电极之一，并且通过公共上电极电连接到第一电容器，该第二导电焊盘邻近于第一导电焊盘；以及第三电容器，包括在形成在第二导电焊盘上的串联的电容器中，并包括与第二导电焊盘接触的下电极之一，并且通过第二导电焊盘电连接到第二电容器，其中耦合电容器的下电极是第一导电焊盘，并且耦合电容器的上电极是第三电容器的上电极。