[发明专利]蚀刻方法、金属膜结构体的制造方法以及蚀刻结构体

摘要

本发明的目的在于，不增加步骤数目就能抑制被蚀刻膜的旁蚀刻。在衬底结构体(20)上，利用ICP－RIE去除位于蚀刻预定区域(18)的保护膜(10)，形成露出衬底(12)的主面(12a)的露出区域(22)。即，衬底结构体具备衬底、覆盖衬底的保护膜、覆盖保护膜的光致抗蚀剂(14)以及形成在光致抗蚀剂上的孔部(16)。孔部具有形成在光致抗蚀剂表面上的开口部(16b)和与开口部在光致抗蚀剂的厚度方向上连续并且到达保护膜的中空部(16c)。这里，ICP－RIE是在下述条件下进行的：(1)将ICP功率设定在20～100W，(2)将RIE功率设定在5～50W，(3)将蚀刻室的气压设定在1～100mTorr。

主权项

1.一种蚀刻方法，其特征在于，对于下述衬底结构体，即，所述衬底结构体具备衬底、覆盖该衬底的主面的被蚀刻膜以及覆盖该被蚀刻膜并且形成有孔部的蚀刻保护膜，该孔部是由形成在所述蚀刻保护膜表面上的开口部和与该开口部在所述蚀刻保护膜的厚度方向上连续并达到所述被蚀刻膜的中空部形成的，所述开口部的平面形状与所述被蚀刻膜的蚀刻预定区域的平面形状全等，所述孔部具有从所述蚀刻保护膜表面向深度方向随着靠近所述被蚀刻膜而宽度增加的孔宽度，利用感应耦合等离子体反应性离子蚀刻去除所述被蚀刻膜中的、位于所述蚀刻预定区域的被蚀刻膜部分，在形成露出所述衬底的所述主面的露出区域之时，在下述条件下进行蚀刻：(1)将ICP功率设定在20～100W；(2)将RIE功率设定在5～50W；(3)将蚀刻室的气压设定在1～100mTorr。