[发明专利]半导体结构的制造方法

摘要

本发明涉及具有晶体管单元区以及连接区的半导体结构的制造方法。晶体管单元区以及连接区的晶体管都涂敷有第一氧化物层，第一氧化物层的层厚度以下述方式确定，即在每种情况下，在晶体管单元区中相邻晶体管之间保留有间隙区，牺牲结构随后被涂敷在晶体管单元区的至少两个相邻晶体管之间的间隙区中，在每种情况下，两个相邻牺牲结构之间的至少一个间隙区保持无填充，第二氧化物层被涂敷到牺牲结构和第一氧化物层，并对第一和第二氧化物层执行蚀刻步骤，其中，具有预定隔离物宽度的至少一个隔离物形成在连接区的至少一个晶体管的侧边沿上，此隔离物由第一和第二氧化物层形成，且隔离物的宽度由第一和第二氧化物层的层厚度及蚀刻步骤决定。

主权项

1.一种用来制作具有晶体管单元区(20)和连接区(30)的半导体结构的方法，在晶体管单元区(20)中，晶体管(40，50)彼此并排紧邻排列，在连接区(30)中，晶体管(200)彼此之间的距离比晶体管单元区中的更大，其中，在此方法中，晶体管单元区(20)和连接区(30)的晶体管(40，50，200)都涂敷有第一氧化物层(210)，第一氧化物层的层厚度的尺寸使得在每种情况下在晶体管单元区(20)中的相邻晶体管(40，50)之间都保留有间隙区(215)，牺牲结构(300，370)随后被涂敷在晶体管单元区(20)的至少两个相邻晶体管(40，50)之间的间隙区中，在每种情况下，至少一个间隙区(350)在两个相邻的牺牲结构(300，370)之间保持无填充，第二氧化物层(330)被涂敷到所述牺牲结构和第一氧化物层(210)，以及对第一和第二氧化物层(210，330)执行蚀刻步骤，在该蚀刻步骤中，至少一个具有预定隔离物宽度的隔离物(400，410)形成在连接区的至少一个晶体管(200)的侧边沿(425)上，此隔离物由第一和第二氧化物层(210，330)形成，且隔离物宽度由第一和第二氧化物层的层厚度并也由该蚀刻步骤确定。