[发明专利]具有高沟道迁移率的碳化硅半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610126666.7 | 申请日： | 2006-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1925169A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 远藤刚;山本刚;河合润;山本建策;奥野英一 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件，包括：衬底(1、31、61)；在所述衬底(1、31、61)中的沟道区(2、34、64)；第一杂质区(4、36、66、67)；第二杂质区(5、37、73)；在所述沟道区(2、34、64)上的栅极绝缘膜(6、38、68)；以及在所述栅极绝缘膜(6、38、68)上的栅极(7、35、65)；所述沟道区(2、34、64)提供电流通路。所述沟道区(2、34、64)与所述栅极绝缘膜(6、38、68)彼此之间具有界面。所述界面包含由氢原子或羟基终止的悬挂键。所述界面具有等于或大于2.6×1020cm－3的氢浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟道 迁移率 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件，包括：由碳化硅制成的衬底(1、31、61)；用于提供电流通路的沟道区(2、34、64)，其中所述沟道区(2、34、64)由碳化硅制成，并且布置在所述衬底(1、31、61)中；布置在所述电流通路上游侧的第一杂质区(4、36、66、67)；布置在所述电流通路下游侧的第二杂质区(5、37、73)；布置在所述沟道区(2、34、64)表面上的栅极绝缘膜(6、38、68)；以及布置在所述栅极绝缘膜(6、38、68)上的栅极(7、35、65)，其中通过控制加到所述栅极(7、35、65)上的电压，从而控制在所述第一杂质区(4、36、66、67)与所述第二杂质区(5、37、73)之间的电流通路中流动的电流，所述沟道区(2、34、64)提供所述电流通路作为沟道；所述沟道区(2、34、64)与所述栅极绝缘膜彼此之间具有界面，所述界面包含由氢原子或羟基终止的悬挂键，以及所述界面具有等于或大于2.6×1020cm-3的氢浓度。
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