[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的目的在于提供一种半导体器件，能够有效防止静电浪涌的破坏、并且具有够抑制由保护电阻引起的电压降低和耗电的输出电路。代替构成半导体器件输出缓冲器的保护电阻(11)和NMOS(7)，在输出节点(8)和接地节点(2)之间，并联n组由保护电阻(11x)(x为a、b)和NMOS(7x)构成的串联电路，保护电阻(11x)的电阻值为规定电阻值的n(如，2)倍，NMOS(7x)的栅宽为规定栅宽的1/n。由此，静电浪涌施加在输出焊盘(8)时，各NMOS(7x)中的浪涌电流为未分割时的1/n，破坏承受值变大。另外，由于输出缓冲器的节点(NO)与输出焊盘(8)之间不需要插入保护电阻，所以能够抑制由保护电阻引起的电压降低和耗电。

主权项

1.一种半导体器件，具有：输出缓冲器，具有源极和漏极分别与电源线和输出焊盘连接、栅极被提供内部输出信号的P沟道MOS晶体管和漏极通过保护电阻与上述输出焊盘连接、源极与接地线连接、栅极被提供上述内部输出信号的N沟道MOS晶体管；第1保护二极管，正极和负极分别与上述输出焊盘和上述电源线连接；第2保护二极管，负极和正极分别与上述输出焊盘和上述接地线连接；以及电源间保护电路，连接在上述电源线和上述接地线之间、静电浪涌施加在该电源线时成为导通状态，其特征在于，连接在上述输出焊盘和上述接地线之间的上述保护电阻及N沟道MOS晶体管的结构为：将n组由具有规定的保护电阻的n倍的电阻值的被分割的保护电阻和具有规定的栅宽的1/n的栅宽的被分割的N沟道MOS晶体管构成的串联电路并联连接，其中，n是大于等于2的整数。