[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供了CMOS图像传感器及其制造方法。CMOS图像传感器包括：器件隔离层、多个光电二极管区、中间绝缘层、折射层、平坦化层、滤色器层、以及多个微透镜。折射层具有的折射率大于中间绝缘层的折射率，折射层穿过中间绝缘层形成在器件隔离层的部分上，以分隔中间绝缘层，并使得中间绝缘层的经分隔的部分具有波导管的特性。

主权项

1.一种CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器，包括：器件隔离层，形成在被限定成器件隔离区和有源区的半导体基板的所述器件隔离区上；多个光电二极管区，以预定间隔形成在所述有源区中，并被所述器件隔离层隔离；中间绝缘层，形成在所述半导体基板的整个表面上；折射层，经过所述中间绝缘层，并形成在所述器件隔离层的部分上，从而所述中间绝缘层具有波导管的特性；平坦化层，形成在包括所述折射层的所述半导体基板的整个表面上；滤色器层，形成在所述平坦化层上，并包括分别与所述光电二极管区对应的多个色段；以及微透镜，分别形成在所述滤色器层的每个色段上。