[发明专利]在衬底沉积装置中使用高频扼流器的装置和方法无效
申请号: | 200610126935.X | 申请日: | 2006-09-06 |
公开(公告)号: | CN1932077A | 公开(公告)日: | 2007-03-21 |
发明(设计)人: | 卡尔·A·索伦森 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/513;C23F4/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一种衬底沉积装置。按照某些方面,该装置包括连接到气体源的气体管、射频功率源和衬底处理室。气体管适于将工艺气体和清洗等离子体从气体源/远程等离子体气体源运送到衬底处理室并且射频功率源适于将射频功率耦合施加到衬底处理室。而且,射频扼流器连接到射频功率源和气体源,其中射频扼流器适于衰减射频功率源和气体源之间的电压差以防止在衬底处理期间在气体管中形成等离子体。本发明还提供了许多其它方面。 | ||
搜索关键词: | 衬底 沉积 装置 使用 高频 扼流器 方法 | ||
【主权项】:
1、一种衬底沉积装置,包括:连接到气体源的气体管、射频功率源和衬底处理室,其中所述气体管适于将来自气体源的气体传送到衬底处理室,和所述射频功率源适于将射频功率耦合到衬底处理室;以及连接到射频功率源和气体源的射频扼流器,其中该射频扼流器适于衰减射频功率源和气体源之间的电压差。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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