[发明专利]一微米波长THz辐射发射芯片及其制作方法无效
| 申请号： | 200610126997.0 | 申请日： | 2006-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101150153A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王勇刚;马骁宇;冯小明;蓝永生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种一微米波长THz辐射发射芯片，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；多量子阱，采用低温生长技术将多对应变补偿的量子阱制作在布拉格反射镜上，该多量子阱包括多对应变补偿的单量子阱，该多量子阱起光吸收和光生载流子弛豫的作用；一对Ti－Au电极，该电极为带状电极，该Ti－Au电极制作在多量子阱上，该Ti－Au电极通电后起电流偏置，增强THz辐射的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 波长 thz 辐射 发射 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种一微米波长THz辐射发射芯片，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；多量子阱，采用低温生长技术将多对应变补偿的量子阱制作在布拉格反射镜上，该多量子阱包括多对应变补偿的单量子阱，该多量子阱起光吸收和光生载流子弛豫的作用；一对Ti-Au电极，该电极为带状电极，该Ti-Au电极制作在多量子阱上，该Ti-Au电极通电后起电流偏置，增强THz辐射的作用。
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