[发明专利]具有多层结构之埋入式电容核有效
| 申请号： | 200610127270.4 | 申请日： | 2006-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101035406A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 吴仕先;李明林;赖信助;张致豪 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02;H05K1/16;H05K3/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高翔 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种埋入式电容核，其包括第一组电容、第二组电容、及该第一组电容与该第二组电容之间一层间介电膜。该第一组电容包括：第一导电图案，其包含至少两个导电电极；以及第二导电图案，其包含至少两个导电电极，其对应于该第一导电图案之两个导电电极；以及第一介电膜，其位于该第一导电图案及该第二导电图案之间的第一介电膜。该第二组电容包括：第三导电图案，其包含至少两个导电电极；第四导电图案，其包含对应于该第四导电图案之两个导电电极之至少两个导电电极；以及位于该第三导电图案及该第四导电图案之间的第二介电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 结构 埋入 电容 | ||
【主权项】：
1.一种电容装置，其特征是包含：由第一牺牲基板转换的第一导电薄膜之第一导电图案；由第二牺牲基板转换的第二导电薄膜之第二导电图案；以及该第一导电图案与该第二导电图案之间的第一介电膜，该第一导电图案与该第二导电图案由该第一介电膜之相反侧嵌入到该第一介电膜当中，且该第一介电膜之部分可夹在该第一导电图案与该第二导电图案之间。
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