[发明专利]发光二极管结构有效
申请号: | 200610127425.4 | 申请日: | 2006-09-13 |
公开(公告)号: | CN101145570A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 许世昌;陈明鸿;温士逸 | 申请(专利权)人: | 海立尔股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种发光二极管结构,其包括:第一基材;粘着层,形成于第一基材上;第一欧姆连接层,形成于粘着层上;磊晶层,形成于第一欧姆连接层上;第一绝缘层,覆盖于第一欧姆连接层及磊晶层其裸露的表面;第一导电板及第二导电板,形成第一绝缘层内且电性连接于第一欧姆连接层及磊晶层的一端。藉由第一沟槽、第二沟槽的设置,使发光二极管结构,可方便发光二极管进行复杂的串/并联电路连结,进而能使发光二极管结构能以单体的型态,在高压环境下更容易及多样化的操作。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管结构,其特征在于其包括:一第一基材,具有一第一表面及一第二表面;一粘着层,形成于该第一表面上;至少二第一欧姆连接层,形成于该粘着层上;至少二磊晶层,该任二该磊晶层之间形成有一第一沟槽,每一该磊晶层,其具有:一下披覆层,形成于一该第一欧姆连接层上;一作用层,形成于该下披覆层上;及一上披覆层,形成于该作用层上;一第一绝缘层,覆盖于每一该第一欧姆连接层及每一该上披覆层其裸露的表面,且形成于任二该第一欧姆连接层间,该第一绝缘层在每一该上披覆层及每一该第一欧姆连接层其裸露部处,分别形成有一第一开孔及一第二开孔;至少二第一导电板,分别形成于每一该第一开孔内,且电性连接于一该上披覆层;以及至少二第二导电板,分别形成于每一该第二开孔内,且电性连接于一该第一欧姆连接层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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