[发明专利]限界等离子体和增强流动导通性的方法和装置有效

专利信息
申请号: 200610127801.X 申请日: 2006-01-27
公开(公告)号: CN101008072A 公开(公告)日: 2007-08-01
发明(设计)人: 卡洛·贝拉;丹尼尔·霍夫曼;叶雁;迈克尔·库特内;道格拉斯·A·布池贝尔格尔 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C14/00 分类号: C23C14/00;C23C14/32;C23C14/04;C23C14/54;C23C16/513;C23F4/00;H01L21/02
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 赵飞
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明的实施例一般地涉及在等离子体处理室中限界等离子体的方法和装置。该装置可以包括与室壁具有在约0.8英寸到约1.5英寸之间的间隙距离的圈形环。如果在处理期间存在衬底,除了圈形等离子体限界环,还可以通过在等离子体处理期间将供应到顶电极的电压降低电压比并将剩余电压以负相供应在衬底支撑和衬底。可以通过改变衬底支撑和围绕顶电极的电介质密封件的阻抗,可以调节电压比。将顶电极电压降低电压比并将供应到顶电极的剩余电压以负相供应到衬底支撑,这减少了被吸引到接地室壁的等离子体的量并因此改良了等离子体限界。这种等离子体限界的方法称作阻抗限界。可以通过所述的圈形环、阻抗限界方案或其两者结合来改良等离子体限界。
搜索关键词: 限界 等离子体 增强 流动 通性 方法 装置
【主权项】:
1.一种用于等离子体处理室的处理装备,包括:圈形环,所述圈形环包括:上外壁;下外壁;界定在所述上外壁和所述下外壁之间的台阶;和与所述上外壁和所述下外壁相对布置的内壁。
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