[发明专利]场效应晶体管无效
| 申请号： | 200610127814.7 | 申请日： | 2006-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1937247A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 小嵜正芳;平田宏治 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管，包括具有沟道的沟道层和位于沟道层上的载流子供应层，所述载流子供应层含有由式AlxGa1－xN代表的半导体，其中x大于0.04并小于0.45。沟道在沟道层和载流子供应层之间的界面附近形成或被耗尽，载流子供应层具有大于沟道层的带隙能，式AlxGa1－xN中的x随与第一界面的距离增加而单调下降。沟道层可以是氮化镓结晶体。沟道层可以是未掺杂的。界面处的载流子供应层的式AlxGa1－xN中的x大于或等于0.15且小于或等于0.40。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，其通过晶体生长形成多个含有III族元素氮化物基半导体的半导体结晶层来制备，该场效应晶体管包括：具有沟道的沟道层；和位于沟道层上的载流子供应层，其含有由式AlxGa1-xN代表的半导体，x大于0.04且小于0.45，其中沟道在沟道层和载流子供应层之间的第一界面附近形成或被耗尽，载流子供应层具有大于沟道层的带隙能，并且式AlxGa1-xN中的x随着与所述第一界面的距离增加而单调减小。
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