[发明专利]宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法有效
| 申请号： | 200610127920.5 | 申请日： | 2006-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101136432A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;马志勇;胡国新;肖红领;冉军学;王翠梅;罗卫军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在铝(铟)镓氮超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂铝(铟)镓氮层，该铝(铟)镓氮层制作在氮化铝插入层的上面。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带 氮化 镓基异质结 场效应 晶体管 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一AlxInyGazN超晶格缓冲层，该AlxInyGazN超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在AlxInyGazN超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂AlxInyGazN层，该AlxInyGazN层制作在氮化铝插入层的上面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610127920.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：向胶囊内定量填充片剂的装置和方法
- 下一篇：湿式除尘机组
- 同类专利
- 专利分类
