[发明专利]倒装发光器件无效
| 申请号： | 200610128047.1 | 申请日： | 2006-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101017868A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 金显秀;赵济熙 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装发光器件，该发光器件包含：衬底、形成于衬底顶面上的n型半导体层、形成于n型半导体层顶面上的有源层、形成于有源层顶面上的p型半导体层、形成于p型半导体层顶面上的p型电极、以及形成于n型半导体层顶面的暴露部分上的n型电极。p型电极包含：欧姆接触层，沿靠近n型电极的p型半导体层的顶面的边缘形成为预定宽度；以及反射层，覆盖欧姆接触层以及未被欧姆接触层覆盖的p型半导体层的顶面部分。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种倒装发光器件，包含：衬底；形成于所述衬底的顶面上的n型半导体层；形成于所述n型半导体层的顶面上的有源层；形成于所述有源层的顶面上的p型半导体层；形成于所述p型半导体层的顶面上的p型电极；以及形成于所述n型半导体层的顶面暴露部分上的n型电极，其中所述p型电极包含：欧姆接触层，沿靠近所述n型电极的p型半导体层的顶面的边缘形成为预定宽度；以及反射层，覆盖所述欧姆接触层以及未被所述欧姆接触层覆盖的p型半导体层的顶面部分。
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