[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610128501.3 | 申请日： | 2006-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1899951A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 泉小波;山口真弓 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;H01L27/12;H01L21/84;G06K19/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一直以来在一个衬底上制造一种配置具有空间的微结构、用于控制该微结构的电路以及其他结构的半导体器件是困难的。本发明通过用这样的方式能够在半导体器件中提供微结构和用于控制该微结构的电路：在低温下形成和处理通过利用金属元件的激光结晶或热结晶获得的具有多晶硅的结构层。作为上述电子电路，有用于与天线进行无线通信的无线通信电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在绝缘表面上方的微结构，其包括结构层和在该结构层与绝缘表面之间的空间；电子电路，其包括在该绝缘表面上方的半导体元件；以及该微结构和该电子电路上方的天线；其中，所述天线和微结构分别电连接至所述电子电路。
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