[发明专利]铁电电容器、具有该电容器的存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610128596.9 | 申请日： | 2006-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101013694A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 申尚旻;朴永洙;具俊谟;裵丙才;宋利宪;金锡必 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L27/04;H01L21/82;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有三维结构的铁电电容器、具有该铁电电容器的非易失性存储器件及其制造方法。该铁电电容器包括：沟槽型下电极；绝缘中间层，形成在该下电极周围，例如为SiO2层；扩散阻挡层，形成在该绝缘中间层上；铁电层(PZT层)，形成在该下电极和该扩散阻挡层上；以及上电极，形成在该铁电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 具有 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电电容器，包括：下电极；形成在该下电极周围的绝缘中间层；形成在该绝缘中间层上的扩散阻挡层；形成在该下电极和该扩散阻挡层上的铁电层；以及形成在该铁电层上的上电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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