[发明专利]每单元二位与非门氮化硅陷获存储器有效
| 申请号： | 200610128843.5 | 申请日： | 2006-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1937228A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器阵列，包括具有主表面的半导体衬底、第一源极/漏极区域及第二源极/漏极区域。第二源极/漏极区域与第一源极/漏极区域分隔。井区域位于一部份半导体衬底中、第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间。多个存储器单元，位于井区域上的主表面上。每一存储器单元包括第一氧化层，形成于衬底的主表面之上；电荷储存层，位于相对于半导体衬底的主表面的第一氧化层之上；以及第二氧化层，位于相对于半导体衬底的主表面的电荷储存层之上。多个字线，位于相对于半导体衬底的主表面的第二氧化层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 单元 与非门 氮化 硅陷获 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储器阵列，包括：半导体衬底，具有主表面；第一源极/漏极区域，位于该半导体衬底接近该主表面的一部分中；第二源极/漏极区域，位于该半导体衬底接近该主表面的一部分中，且该第一源极/漏极区域与该第二源极/漏极区域分隔；井区域，位于接近该第一源极/漏极区域与该第二源极/漏极区域之间该主表面的该半导体衬底的一部份中；多个存储器单元，位于该井区域上方的该半导体衬底的该主表面之上，且位于该第一源极/漏极区域与该第二源极/漏极区域之间，每一该存储器单元包括：第一氧化层，形成于该半导体衬底的该主表面之上，该第一氧化层置于该主表面接近该井区域的一部份之上；电荷储存层，相对于该半导体衬底的该主表面的，位于该第一氧化层之上；第二氧化层，相对于该半导体衬底的该主表面的，位于该电荷储存层之上；以及多个字线，相对于该半导体衬底的该主表面的每个该字线位于该第二氧化层之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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