[发明专利]磁场检测装置以及对其进行调整的方法有效

专利信息
申请号: 200610128852.4 申请日: 2006-08-31
公开(公告)号: CN1924603A 公开(公告)日: 2007-03-07
发明(设计)人: 古川泰助;小林浩;长永隆志;黑岩丈晴;拜山沙德克;滝正和 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;H01L43/08;G11B5/39
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 曲瑞
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够依照用途自由地使检测范围及检测灵敏度变化的磁场检测装置。在磁阻效应元件(2)上外加偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)。由于偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)在同一直线上产生,所以偏置磁场(Hb)以妨碍被外加给磁阻效应元件(2)的外部磁场(Hex)的方式发挥功能。为此,磁阻效应元件(2)中的自由层的磁化就得以抑制。磁化矢量(42)的旋转角度也减少。从而,磁阻效应元件(2)相对于外部磁场(Hex)的电阻值的特性就按偏置磁场(Hb)来进行偏移。
搜索关键词: 磁场 检测 装置 以及 进行 调整 方法
【主权项】:
1.一种磁场检测装置,具备包含经由第一非磁性层而叠层的第一及第二铁磁性层的磁阻效应元件;和基于上述磁阻效应元件的电阻值来检测外加给上述磁阻效应元件的外部磁场的检测电路,其特征在于:上述第一铁磁性层不管上述外部磁场如何其磁化方向固定,上述第二铁磁性层的磁化方向依照上述外部磁场而变化,上述磁阻效应元件的电阻值根据上述第一及第二铁磁性层中的磁化方向的相对关系而变化,上述磁场检测装置还具备对上述磁阻效应元件外加偏置磁场,使上述磁阻效应元件相对于上述外部磁场的电阻值的特性变化的偏置部。
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