[发明专利]真空处理装置有效
| 申请号： | 200610128913.7 | 申请日： | 2006-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1925110A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 志村昭彦;近藤裕志;锅山裕树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可以可靠地防止水分混入真空处理室中的真空处理装置。具有阀体(31a、31b)的闸阀(30a、30b)分别以双层配置在真空处理室(10)和负载锁定室(20)之间。此外，流导不同的三根排气管(21、22、23)与负载锁定室(20)连接，通过开闭阀(62、63、64)，分别与真空泵(60)连接。此外，导入N2气体的N2气体供给源(26)与负载锁定室(20)的内部连接。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种真空处理装置，其特征在于，具备：在真空中对基板进行规定的处理的真空处理室；在将所述基板搬入搬出所述真空处理室的过程中，暂时收纳所述基板，其内部交替保持大气开放状态和真空状态的真空预备室；和在所述真空处理室和所述真空预备室之间双重配置的闸阀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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