[发明专利]半导体异质结构和形成半导体异质结构的方法

摘要

本发明涉及半导体异质结构和形成半导体异质结构的方法。所述方法包括：提供具有第一面内晶格参数a₁的基材，提供具有第二面内晶格参数a₂的缓冲层，和在所述缓冲层上提供顶层。为了改善所述半导体异质结构的表面粗糙度，在缓冲层和顶层之间提供附加层，其中所述附加层具有介于第一晶格参数和第二晶格参数之间的第三面内晶格参数a₃。

主权项

1.形成半导体异质结构的方法，所述方法包括：-提供具有第一面内晶格参数a1的基材(2)，-提供具有第二面内晶格参数a2的缓冲层(3)，-在所述缓冲层(3)上提供顶层(6)，其特征在于：在缓冲层(3)和顶层(6)之间提供附加层(5)，所述附加层(5)具有第三面内晶格参数a3，所述第三面内晶格参数a3介于第一晶格参数a1和第二晶格参数a2之间，以便由此改善所述顶层(6)的表面粗糙度，其中所述基材和缓冲层的晶格参数分别对应于松弛态的晶格参数值，并且是朝向随后的层的界面处的晶格参数。