[发明专利]半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200610129024.2 申请日: 2006-08-31
公开(公告)号: CN1925187A 公开(公告)日: 2007-03-07
发明(设计)人: 铃木恒德;野村亮二;汤川干央;大泽信晴;高野圭惠;浅见良信;佐藤岳尚 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 陈昕
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件,该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法,包括如下步骤:在基板上形成剥离层;在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层,并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层,以形成元件形成层;以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板,然后剥离剥离层和元件形成层。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件的制作方法,包括如下步骤:在基板上形成剥离层;在所述剥离层上形成无机化合物层;在所述无机化合物层上形成第一导电层;在所述第一导电层上形成含有有机化合物的层;在所述含有有机化合物的层上形成第二导电层,以形成元件,其中所述第二导电层的一部分与所述无机化合物层接触;并且在所述剥离层将所述第一和第二导电层以及所述含有有机化合物的层从所述基板剥离。
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