[发明专利]具有L形浮置栅电极的非易失性存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610129036.5 | 申请日： | 2006-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101034720A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 崔定赫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种闪速EEPROM阵列，包括：其中具有第一浮置栅电极的第一行EEPROM单元，和在其中具有第二浮置栅电极的第二行EEPROM单元。该第一浮置栅电极包括至少一个水平部分和至少一个垂直部分，其共同限定朝向第一方向的第一浮置栅电极的第一L形部分。第二浮置栅电极包括至少一个水平部分和至少一个垂直部分，其共同限定朝向与第一方向相反的第二方向的第二浮置栅电极的第二L形部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 形浮置栅 电极 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储单元，包括：其中具有有源区的半导体衬底，其包括第一导电类型的源区和漏区以及在源区和漏区之间延伸的沟道区；沟道区上的隧道氧化物层；浮置栅电极，在所述隧道氧化物层上，所述浮置栅电极具有由多个部分限定的不对称横断截面，所述多个部分包括横向横跨沟道区的整个宽度延伸的水平部分以及至少一个从水平部分的侧面向上延伸的垂直部分；控制栅电极，在所述浮置栅电极上；以及栅间介质层，在所述浮置栅电极和所述控制栅电极之间延伸。
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