[发明专利]高压场效应晶体管和制造高压场效应晶体管的方法无效
| 申请号： | 200610129152.7 | 申请日： | 2006-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1929150A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 沃尔克·杜德克;迈克尔·格拉夫;斯蒂芬·施沃恩特斯 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔（德国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/161;H01L27/02;H01L21/336;H01L21/82 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 德国海尔*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 高压场效应晶体管，其带有漏极接点(D)、源极接点(S)、体接点(B)和栅极接点(G)，带有栅极氧化物(89)和一个以栅极氧化物(89)交界的栅极电极(25)，它与栅极接点(G)连接，带有第一导电类型的漏极半导体区(11)，它与漏极接点(D)连接，带有第一导电类型的源极半导体区(12)，它与源极接点(S)连接，带有第二导电类型的体接点半导体区(31)，它与体接点(B)连接，带有第二导电类型的体半导体区(30)，它部分地以栅极氧化物(89)为界以形成沟道，和以体接点半导体区(31)为界，带有第一导电类型漂移半导体区域(10)，它以漏极半导体区(11)和体半导体区(30)为界，其中一个与体半导体区(30)隔开区域(50)中的漂移半导体区域(10)内形成势垒(pb)。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.高压场效应晶体管，-带有漏极接点(D)、源极接点(S)、体接点(B)和栅极接点(G)，-带有栅极氧化物(89)和以栅极氧化物(89)为界的与栅极接点(G)连接的栅极电极(25)，-带有第一导电类型的漏极半导体区(11)，其与漏极接点(D)连接，-带有第一导电类型的源极半导体区(12)，其与源极接点(S)连接，-带有第二导电类型的体接点半导体区(31)，其与体接点(B)连接，-带有第二导电类型的体半导体区(30)，其部分地以栅极氧化物(89)为界，以形成沟道并以体接点半导体区(31)为界，-带有第一导电类型漂移半导体区域(10)，其以漏极半导体区(11)和体半导体区(30)为界，其中在与体半导体区(30)隔开的区域(50)中的漂移半导体区域(10)内形成势垒(pb)。
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