[发明专利]掺锆铌酸锂晶体无效
| 申请号： | 200610129356.0 | 申请日： | 2006-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1974888A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 刘士国;孔勇发;赵艳军;许京军;陈绍林;黄自恒;张玲 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/04 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 掺锆铌酸锂晶体。本发明属非线性光学晶体领域。它的特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子，锆离子Zr4+的掺入量大于0.01mol％。本发明提供了一种新的抗光折变掺杂离子Zr4+，它的掺杂阈值低，易于生长出高品质的晶体，且抗光折变能力强，超过阈值以后晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高6个量级，比同成分掺镁(4.6mol％)铌酸锂晶体提高了3个量级。本发明之掺锆铌酸锂晶体，完全可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 掺锆铌酸锂 晶体 | ||
【主权项】：
1、一种掺锆铌酸锂晶体，其特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子Zr4+，锆离子Zr4+的掺入量大于0.01mol％。
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