[发明专利]高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种微波介质陶瓷及其制备方法，原料组分及摩尔百分比含量为，Ag₂O40－60％、Nb₂O₅ 10－40％、Ta₂O₅ 10－40％，在此基础上，外加重量百分比含量为1.0－5.0％的Gd₂O₃或1.0－5.0％的Dy₂O₃。采用预合成前驱体的方法，经一次球磨、预烧、二次配料、二次球磨，制成Ag(Nb_1－xTa_x)O₃陶瓷原粉，最后在1130－1150℃烧结。本发明所提供的微波介质陶瓷具有烧结温度低，介电常数高(ε＞400)、介电损耗低(tgδ＜10×10^－4)的优良性能，并且制备工艺简单、制备过程无污染。本发明用于制备高频介质器件。

主权项

1.一种高介电常数微波介质陶瓷，其特征在于，其原料组分及摩尔百分比含量为，Ag2O40-60％、Nb2O5 10-40％、Ta2O5 10-40％，在此基础上，外加重量百分比含量为1.0-5.0％的Gd2O3 或者1.0-5.0％的Dy2O3。