[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明揭示了一种半导体存储装置，其包含：存储单元阵列，包含多个存储单元；多个列译码单元，其具有用于响应于含有用于所述存储单元的列地址信息的码信号而选择性地启动所述存储单元的多个列译码器，其中，所述列译码器的每一个包含用于响应于所述码信号而提供在电源电压与源极电压之间转变的状态输出信号的预驱动单元，及用于响应于该状态输出信号而输出列选择信号以启动相应存储单元的驱动单元，其中，该预驱动单元及该驱动单元的每一个包含至少一个PMOS晶体管及至少一个NMOS晶体管，所述PMOS晶体管和NMOS晶体管分别经由其主体接收泵浦电压及一反向偏压，该泵浦电压具有高于该电源电压的电压电平的电压电平，且该反向偏压具有低于接地电压的电压电平的电压电平。

主权项

1.一种半导体存储装置，其包括：存储单元阵列，包含多个存储单元；列译码单元，其具有响应于含有用于所述存储单元的列地址信息的码信号而选择性地启动所述存储单元的多个列译码器，其中，所述列译码器的每一个包含：预驱动单元，响应于所述码信号而提供在电源电压与源极电压之间转变的状态输出信号；及驱动单元，响应于该状态输出信号而输出列选择信号以启动所述存储单元中的相应的一个，其中，该预驱动单元及该驱动单元的每一个包含至少一个PMOS晶体管及至少一个NMOS晶体管，所述PMOS晶体管和NMOS晶体管用于分别经由它们的主体接收泵浦电压及反向偏压，该泵浦电压具有高于该电源电压的电压电平的电压电平，且该反向偏压具有低于接地电压的电压电平的电压电平。