[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，不使存储晶体管的动作特性变动，而容易地在同一半导体衬底上形成存储晶体管和高耐压MOS晶体管。将形成存储晶体管的隧道绝缘膜的工序和形成MOS晶体管的栅极绝缘膜的工序分开。具体地说，在整个面上形成成为隧道绝缘膜的一部分的绝缘膜(9)及氮化硅膜(10)后，使用光致抗蚀剂层(11)将MOS晶体管形成区域的氮化硅膜(10)选择性除去。然后，以残留的氮化硅膜(10)为耐氧化掩模，将MOS晶体管形成区域选择性氧化，形成具有任意膜厚的MOS晶体管的栅极绝缘膜(12)。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，该半导体装置在同一半导体衬底上具备非易失性存储晶体管和至少一个MOS晶体管，其中，非易失性存储晶体管具备浮置栅极、覆盖所述浮置栅极而形成的隧道绝缘膜和经由所述隧道绝缘膜在浮置栅极上形成的控制栅极，其特征在于，形成所述MOS晶体管的栅极绝缘膜的工序包括：在所述半导体衬底上形成其局部成为隧道绝缘膜的绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成耐氧化膜的工序；在将所述MOS晶体管的形成区域上形成的所述耐氧化膜除去的工序；以所述未除去的耐氧化膜为掩模，通过选择性氧化所述MOS晶体管的形成区域，形成所述MOS晶体管的栅极绝缘膜的工序。