[发明专利]用于CMOS图像传感器的自对准光电二极管及其制法无效
| 申请号： | 200610131741.9 | 申请日： | 2006-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1929112A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 霍华德·E·罗德斯 | 申请（专利权）人： | 豪威科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人： | 戴建波 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于形成可以与传输门电路自对准的光电二极管的方法，该方法与金属硅化物处理相兼容。本发明的方法包括形成门电路堆栈，该门电路堆栈包括门电路氧化物、多晶硅、以及位于多晶硅上方的牺牲/一次性/帽子绝缘体。绝缘体可以是硅氮氧化物和二氧化硅的结合。光电二极管形成后，移除该帽子绝缘体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cmos 图像传感器 对准 光电二极管 及其 制法 | ||
【主权项】：
1、一种形成有源像素的一部分的方法，包括：在半导体基体上形成门电路堆栈，所述的门电路堆栈包括门电路氧化物层、多晶硅层以及位于所述多晶硅层顶上的一次性绝缘体；蚀刻所述的门电路堆栈，以形成一个邻近门电路堆栈；所述门电路堆栈形成后，掩模所述的有源像素，以暴露邻近所述邻近门电路堆栈的光电二极管区域；使用所述邻近门电路堆栈作为自对准掩模，采用n-型和p-型掺杂物植入所述光电二极管区域，在所述光电二极管区域形成光电二极管；以及移除所述邻近门电路堆栈顶上的所述一次性绝缘体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
