[发明专利]半导体处理方法无效
| 申请号： | 200610131768.8 | 申请日： | 2006-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1953154A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | J·S·戈尔拉;M·A·皮克林;J·T·费伊;M·S·斯特里克兰德 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/00;C23C16/458;C30B25/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示了半导体处理方法和设备。所述半导体设备和处理方法提供缺陷减少的半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，该方法包括：a)对晶片固定制品的一个或多个表面进行改进，以提供Ra小于或等于3微米、Rz(din)小于或等于15微米的晶片固定制品；b)将一个或多个半导体晶片置于所述晶片固定制品中；c)将装有一个或多个半导体晶片的晶片固定制品置于处理室之内；d)对一个或多个半导体晶片进行处理，以改进所述一个或多个半导体晶片，从而形成滑移缺陷少于或等于50个的改进的半导体晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
