[发明专利]芯片封装体、芯片结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200610131787.0 | 申请日： | 2006-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101162704A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 林瑞昌;张大鹏 | 申请（专利权）人： | 联詠科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/60;H01L21/28;H01L27/02;H01L23/485;H01L23/488;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种芯片结构，其包括一集成电路元件、多个凸块以及至少一间隙物。集成电路元件具有多个接点。凸块位于这些接点上。间隙物位于集成电路的表面上，并且位于两相邻凸块之间，其中间隙物的最大厚度小于或等于凸块的厚度。经由间隙物的配置，本发明可以使这两个相邻的凸块维持在良好的电性绝缘状态。此外，本发明更提出此芯片结构的工艺以及具有此芯片结构的芯片封装体。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片结构的制造方法，其步骤包括：提供晶片，其具有多个集成电路元件，每一该些集成电路元件具有多个接点；于该些接点上形成多个凸块；于该些集成电路元件的表面上并且于两相邻的该些凸块之间形成至少一间隙物，其中该间隙物的材料为介电材料，并且该间隙物的最大厚度小于或等于该些凸块的厚度；以及切割该晶片，以形成多个芯片结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联詠科技股份有限公司，未经联詠科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610131787.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
